F.Nakajima, Y.Miyoshi, H.Takahashi, J.Motohisa, T.Fukui: "BDD NAND logic circuits using single electron transistors by selective area metalorganic vapor phase epitaxy"Abstracts of 26^<th> International Conference on the Physics of Semiconductors. H227 (20
F.Nakajima, Y.Miyoshi, H.Takahashi, J.Motohisa, T.Fukui: "BDD NAND logic circuits using single electron transistors by selective area metalorganic vapor phase epitaxy"Abstracts of 26^<th> International Conference on the Physics of Semiconductors. H227 (20
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F.Nakajima、Y.Miyoshi、H.Takahashi、J.Motohisa、T.Fukui：“通过选择性区域金属有机气相外延使用单电子晶体管的 BDD NAND 逻辑电路”第 26 届国际物理会议摘要
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