Film growth of 4 He adsorbed in mesopores
Film growth of 4 He adsorbed in mesopores
复制标题
中孔吸附的 4 He 成膜
DOI：
10.1103/physrevb.68.092501
复制
发表时间：
2003
影响因子：
3.7
通讯作者：
Y. Fukushima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Ikegami;T. Okuno;Y. Yamato;J. Taniguchi;N. Wada;S. Inagaki;Y. Fukushima
通过精确测量不同孔径（18 nm ~ 47 nm）下4 He吸附在介孔基底上的蒸气压，研究了4 He在介孔基底上的成膜过程.吸附在孔壁上的4 He膜形成一个圆柱形的管，但不显示毛细凝聚。对于所研究的所有孔径，可以确定第一层的完成和完整的孔隙覆盖。在第一层中，没有发现膜生长的孔径依赖性，表明该层的生长主要由来自衬底的货车范德华力支配。然而，第一层完成后的膜生长具有很强的孔径依赖性。第一层完成和完全孔隙覆盖率的比率与从孔隙尺寸预期的比率一致。
The film growth of 4 He adsorbed in mesoporous substrates was investigated by accurate vapor pressure measurements for various pore sizes between 18 Å and 47 Å. The 4 He film adsorbed on the pore wall forms a cylindrical tube, but does not show the capillary condensation. Completion of the first layer and the full pore coverage could be identified for all pore sizes studied. In the first layer, no pore size dependence of the film growth was found, indicating that the growth of this layer was dominated primarily by the van der Waals force from the substrate. Film growth after the first layer completion, however, has a strong pore size dependence. The ratio of the first layer completion and the full pore coverage agrees well with that expected from the pore dimensions.
一维 18Å 孔中形成的 ^4He 玻色流体的声子速度
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
Physica B 329-333
影响因子：
--
作者：
J.Taniguchi;H.Ikegami;N.Wada
通讯作者：
N.Wada
吸附在 18Å 孔上的 ^3He 的蒸气压和热容测量
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
J.Low Temp.Phys. 126
影响因子：
--
作者：
J.Taniguchi;T.Okuno;H.Ikegami;N.Wada
通讯作者：
N.Wada