富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性

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DOI:
10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.011
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发表时间:
2016
期刊:
半导体技术
影响因子:
--
通讯作者:
孙同年
孙同年
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
韩应宽;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;王阳;李晓岚;孙同年

文献摘要

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