Correlation between Deep-Level Defects and Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-Structures
Correlation between Deep-Level Defects and Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-Structures
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AlGaN/GaN 异质结构中深层缺陷与电流崩塌之间的相关性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaaki Futamoto;Tatsuya Hagami;Shinji Ishihara;Kazuki Soneta;and Mitsuru Ohtake;Y.Nakano
