InP基板上引張歪GaAsSbとInGaAsの膜厚増加による結晶性劣化の比較
InP基板上引張歪GaAsSbとInGaAsの膜厚増加による結晶性劣化の比較
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InP 衬底上拉伸应变 GaAsSb 和 InGaAs 因膜厚增加而导致结晶度劣化的比较
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
満原学;星拓也;杉山弘樹;後藤高寛;竹中充;高木信一
