Gas development at the interface of directly bonded silicon wafers: investigation on silicon-based pressure sensors
Gas development at the interface of directly bonded silicon wafers: investigation on silicon-based pressure sensors
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直接键合硅片界面处的气体产生：硅基压力传感器的研究
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
U. Gösele
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Mack;H. Baumann;U. Gösele
