High-Performance Germanium pMOSFETs With NiGe Metal Source/Drain Fabricated by Microwave Annealing
High-Performance Germanium pMOSFETs With NiGe Metal Source/Drain Fabricated by Microwave Annealing
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采用微波退火制造的具有 NiGe 金属源极/漏极的高性能锗 pMOSFET
DOI：
10.1109/ted.2016.2564996
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发表时间：
2016
影响因子：
3.1
通讯作者：
Yi Zhao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rui Zhang;Junkang Li;Feng Chen;Yi Zhao
