Fabrication and electrical characteristics of ultrathin (HfO2)x(SiO2)1-x films by surface sol-gel method and reaction-anneal treatment
Fabrication and electrical characteristics of ultrathin (HfO2)x(SiO2)1-x films by surface sol-gel method and reaction-anneal treatment
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表面溶胶-凝胶法和反应退火处理超薄(HfO2)x(SiO2)1-x薄膜的制备及其电学特性
DOI：
10.1016/j.mee.2009.10.004
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发表时间：
2010
影响因子：
2.3
通讯作者：
Di Wu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Gong;Aidong Li;Chao Zhao;Yidong Xia;Di Wu
影响因子：
8.6
作者：
Aoki, Y;Kunitake, T;Nakao, A
通讯作者：
Nakao, A