Solution growth of AlN layer on nitrided sapphire substrate under normal pressure using Ga-Al binary flux
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使用 Ga-Al 二元熔剂在常压氮化蓝宝石衬底上溶液生长 AlN 层
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Fukuyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Adachi;K. Maeda;A. Tanaka;D. Morikawa;K. Tsuda;H. Kobatake;M.Ohtsuka;H. Fukuyama
