Dysprosium silicide nanowires on Si(110)
Dysprosium silicide nanowires on Si(110)
复制标题
Si(110) 上的硅化镝纳米线
DOI：
10.1063/1.1636244
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发表时间：
2003
影响因子：
4
通讯作者：
P. Bennett
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhian He;M. Stevens;David J. Smith;P. Bennett
观察到在 720°C 下沉积在 Si(110) 上的镝会形成自组装硅化物纳米线 (NW) 结构，该结构具有单一取向，平均尺寸为 15 nm 宽和微米长。 NW 侧沿着倾斜的 Si{111} 平面生长到衬底中，形成 V 形横截面，其界面在一侧是相干的，用 DySi2(0001)//Si(111_) 和 DySi2[011_0]//Si[1_10] 描述，而在另一侧是非相干的。这种类型的生长代表了自组装纳米线形成的物理机制，不需要各向异性晶格失配。
Dysprosium deposited on Si(110) at 720 °C is observed to form self-assembled silicide nanowire (NW) structures with a single orientation and average dimensions of 15 nm wide and microns long. The NW sides grow into the substrate along inclined Si{111} planes, forming a V-shaped cross section with an interface that is coherent on one side, described by DySi2(0001)//Si(111_) and DySi2[011_0]//Si[1_10], and incoherent on the other. This type of growth represents a physical mechanism for self-assembled NW formation that does not require anisotropic lattice mismatch.