Si-Wall電極型PECVDによるSiナノドットにおける充放電特性評価

Si-Wall電極型PECVDによるSiナノドットにおける充放電特性評価
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使用Si-Wall电极型PECVD评估Si纳米点的充放电特性

DOI:
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发表时间:
2004
期刊:
第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-lO
影响因子:
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通讯作者:
林司
林司
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
市川和典;P.Punchaipetch;矢野裕司;畑山智亮;浦岡行治;冬木隆;高橋英治;林司

文献摘要

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