M. Watanabe,: "Low temperature (-420。C) epitaxial growth of Caf_2/Si (111) by Ionized-Cluster-Beam technique" Japan. J. Appl. phys.vol. 29. 1803-1804 (1990)
M. Watanabe,: "Low temperature (-420。C) epitaxial growth of Caf_2/Si (111) by Ionized-Cluster-Beam technique" Japan. J. Appl. phys.vol. 29. 1803-1804 (1990)
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M. Watanabe，：“通过电离簇束技术进行 Caf_2/Si (111) 的低温（-420.C）外延生长”，J. Appl. 29. 1803-1804 (1990)。
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