Light emitting devices based on semipolar-oriented InGaN/GaN quantum wells
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复制标题
基于半极性取向InGaN/GaN量子阱的发光器件
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Mukai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kawakami;M. Ueda;M. Funato;Y. Narukawa;T. Mukai
