Si-based single-dopant atom devices, Advanced Materials Research
Si-based single-dopant atom devices, Advanced Materials Research
复制标题
硅基单掺杂原子器件，先进材料研究
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Kawai and T. Mizuno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tabe;D. Moraru;A. Udhiarto;S. Miki;M. Anwar;Y. Kawai and T. Mizuno
