高周波デバイス高性能化に向けたGaN結晶育成技術
高周波デバイス高性能化に向けたGaN結晶育成技術
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提高高频器件性能的GaN晶体生长技术
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
守山 実希
中科院分区：
文献类型：
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作者：
森 勇介;今西 正幸;宇佐美 茂佳;吉村 政志;守山 実希
