Towards Horizontal Heterojunctions for Tunnel Field Effect Transistors with Template Assisted Selective Epitaxy via MOCVD
Towards Horizontal Heterojunctions for Tunnel Field Effect Transistors with Template Assisted Selective Epitaxy via MOCVD
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通过 MOCVD 进行模板辅助选择性外延，实现隧道场效应晶体管的水平异质结
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Klamkin, K
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Brunelli, Simone;Markman, B;Tseng, HY;Goswami, A;Rodwell, M;Palmstrøm, P;Klamkin, K
