Direct verification of Ga–Ga bond avoidance in the type-I clathrate Ba 8 Ga 16 Sn 30 from its x-ray absorption fine structure
Direct verification of Ga–Ga bond avoidance in the type-I clathrate Ba 8 Ga 16 Sn 30 from its x-ray absorption fine structure
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DOI：
10.1103/physrevb.80.212101
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发表时间：
2009-12
影响因子：
3.7
通讯作者：
M. Kozina;F. Bridges;Y. Jiang;M. Avila;K. Suekuni;T. Takabatake
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Kozina;F. Bridges;Y. Jiang;M. Avila;K. Suekuni;T. Takabatake
M.科济纳，1楼。布里奇斯，1年。Jiang，1 M. A.阿维拉，2公里。Suekuni，3和T. Takabatake 3 1物理系，加州大学，圣克鲁斯，加州95064，美国2自然科学和人类中心，ABC大学联邦，圣安德烈斯09210-170，SP，巴西3量子物质系，ADSM，广岛大学，广岛，广岛739-8530，日本2009年8月18日收到;修订稿2009年10月16日收到;发表于2009年12月16日
M. Kozina,1 F. Bridges,1 Y. Jiang,1 M. A. Avila,2 K. Suekuni,3 and T. Takabatake3 1Physics Department, University of California, Santa Cruz, California 95064, USA 2Centro de Ciências Naturais e Humanas, Universidade Federal do ABC, Santo André 09210-170, SP, Brazil 3Department of Quantum Matter, ADSM, Hiroshima University, Higashi, Hiroshima 739-8530, Japan Received 18 August 2009; revised manuscript received 16 October 2009; published 16 December 2009