SiナノワイヤのNiシリサイド化速度へのポスト酸化アニールの影響
SiナノワイヤのNiシリサイド化速度へのポスト酸化アニールの影響
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氧化后退火对Si纳米线Ni硅化率的影响
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
ソン セイ， 橋本修一郎， 小杉山洋希， 武井康平， 麻田修平， 徐泰宇， 若水昂， 今井亮佑， 徳武寛紀， 松川貴， 富田基裕， 小椋厚志， 昌原明植， 渡邉孝信
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山本章太郎， 小瀬村大亮， 富田基裕， 武内一真， 横川凌， 米倉瑛介;澤野憲太郎， 野平博司， 小椋厚志;Katsuyoshi Fujiwara;ソン セイ， 橋本修一郎， 小杉山洋希， 武井康平， 麻田修平， 徐泰宇， 若水昂， 今井亮佑， 徳武寛紀， 松川貴， 富田基裕， 小椋厚志， 昌原明植， 渡邉孝信
