SiC上グラフェンにおける構造の層数依存性：全反射高速陽電子回折
SiC上グラフェンにおける構造の層数依存性：全反射高速陽電子回折
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SiC 上石墨烯结构的层数依赖性：全反射快速正电子衍射
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高山あかり
中科院分区：
文献类型：
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作者：
武田朋也;濱田雅史;辻川夕貴;望月出海;星健夫;兵頭俊夫;高山あかり
