高温Si表面上に形成された低速ドーパントイオン照射誘起欠陥の挙動のその場STM観察
高温Si表面上に形成された低速ドーパントイオン照射誘起欠陥の挙動のその場STM観察
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原位 STM 观察高温硅表面慢掺杂离子辐照诱发缺陷的行为
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大泊 巌
中科院分区：
文献类型：
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作者：
神岡 武文;佐藤 光;風間 裕;大泊 巌
