Fe-based n-type and p-type narrow-gap III-V ferromagnetic semiconductors with high Curie temperatures
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高居里温度铁基n型和p型窄带隙III-V铁磁半导体
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Masaaki Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Le Duc Anh;Nguyen Thanh Tu;Pham Nam Hai;and Masaaki Tanaka
