GaN Transistors' Radiated Switching Noise Source Evidenced by Hall Sensor Experiments Toward Integration
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DOI：
10.1109/access.2024.3357239
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发表时间：
2024-01-01
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Igic，Petar
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Marsic，Vlad;Faramehr，Soroush;Igic，Petar
