Limited reaction processing: Growth of III‐V epitaxial layers by rapid thermal metalorganic chemical vapor deposition
Limited reaction processing: Growth of III‐V epitaxial layers by rapid thermal metalorganic chemical vapor deposition
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有限反应处理：通过快速热金属有机化学气相沉积生长 III-V 外延层
DOI：
10.1063/1.97226
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发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Gibbons
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Reynolds;D. Vook;J. Gibbons
我们展示了一种结合快速热处理和金属有机化学气相沉积的III-V外延层生长新技术。该技术产生增强的层厚度控制和突变界面，同时保持高生长速率（≥10 A/s）。使用三甲基砷和三甲基镓生长的多层结构具有光滑、无特征的表面和良好的电学质量（Nd=2×1016 cm−3，μn=3000 cm 2/V s）。
We have demonstrated a new technique for III‐V epitaxial layer growth combining rapid thermal processing and metalorganic chemical vapor deposition. This technique yields enhanced layer thickness control and abrupt interfaces while maintaining a high growth rate (≥10 A/s). Multilayer structures have been grown with smooth, featureless surfaces and good electrical quality (Nd=2×1016 cm−3, μn=3000 cm2/V s) using trimethylarsenic and trimethylgallium.