Impact of Top-ZrO2 Nucleation Layer on Ferroelectricity of HfxZr1－xO2 Thin Films for Ferroelectric Field Effect Transistor Application
Impact of Top-ZrO2 Nucleation Layer on Ferroelectricity of HfxZr1－xO2 Thin Films for Ferroelectric Field Effect Transistor Application
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顶部ZrO2成核层对铁电场效应晶体管HfxZr1－xO2薄膜铁电性的影响
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Atsushi Ogura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takashi Onaya;Toshihide Nabatame;Naomi Sawamoto;Kazunori Kurishima;Akihiko Ohi;Naoki Ikeda;Takahiro Nagata;Atsushi Ogura
