High and broadband sensitivity front- side illuminated InGaAs photo field- effect transistors (photoFETs) with SWIR transparent conductive oxide (TCO) gate
High and broadband sensitivity front- side illuminated InGaAs photo field- effect transistors (photoFETs) with SWIR transparent conductive oxide (TCO) gate
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具有 SWIR 透明导电氧化物 (TCO) 栅极的高宽带灵敏度正面照明 InGaAs 光电场效应晶体管 (photoFET)
DOI：
10.1063/5.0065776
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Fujisiro and T. Koida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Maeda;K. Ohishi;H. Ishii;W. H. Chang;T. Shimizu;A. Endo;H. Fujisiro and T. Koida
