VIB-4 temperature dependence of minority electron mobility and bandgap narrowing in p + Si
VIB-4 temperature dependence of minority electron mobility and bandgap narrowing in p + Si
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VIB-4 p Si 中少数电子迁移率和带隙变窄的温度依赖性
DOI：
10.1109/t-ed.1987.23320
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发表时间：
1987
影响因子：
3.1
通讯作者：
R. M. Swanson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Swirhun;D. E. Kane;R. M. Swanson
