Atomic-scale flattening meechanism of 4H-SiC (0001) in plasma assisted polishing
Atomic-scale flattening meechanism of 4H-SiC (0001) in plasma assisted polishing
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4H-SiC（0001）等离子体辅助抛光的原子尺度平坦化机制
DOI：
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发表时间：
2013
影响因子：
4.1
通讯作者：
Kazuya Yamamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hui Deng;Kazuya Yamamura
