Hydrogen passivation of Fe-related deep energy levels at a direct silicon-bonded (110)/(100) grain boundary

Hydrogen passivation of Fe-related deep energy levels at a direct silicon-bonded (110)/(100) grain boundary
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直接硅键合 (110)/(100) 晶界处与 Fe 相关的深能级的氢钝化

DOI：
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发表时间：
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期刊：
Scripta Materialia
影响因子：
6
通讯作者：
Rozgonyi, George
Rozgonyi, George
中科院分区：
材料科学1区
文献类型：
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作者：
Yu, Xuegong;Li, Xiaoqiang;Lei, Dong;Yang, Deren;Rozgonyi, George

文献摘要

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