A.Yamada,Y.Jia,M.Konagai and K.Takahashi: "“Heavily P-Doped Si and SiGe films grown by Photo-CVD at 250℃"" 119th TMS Annual Meeting Feb.18-22 Anaheim. (1990)
A.Yamada,Y.Jia,M.Konagai and K.Takahashi: "“Heavily P-Doped Si and SiGe films grown by Photo-CVD at 250℃"" 119th TMS Annual Meeting Feb.18-22 Anaheim. (1990)
复制标题
A. Yamada、Y. Jia、M. Konagai 和 K. Takahashi：““250℃ 下通过光化学气相沉积法生长的重磷掺杂硅和硅锗薄膜””第 119 届 TMS 年会，2 月 18-22 日阿纳海姆（1990 年）。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
