Ni nano level thin film formation on p-GaN and improvement of electrical properties by hydrogen release enhancement
Ni nano level thin film formation on p-GaN and improvement of electrical properties by hydrogen release enhancement
复制标题
p-GaN 上 Ni 纳米级薄膜的形成以及通过增强氢释放来改善电性能
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Maeda and Y. Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Aiman b. M. H.;K. Tsuchida;M. Maeda and Y. Takahashi
