Fabrication of Highly Stacked Self-assembled InAs Quantum Dot with Strain-compensation Technique
Fabrication of Highly Stacked Self-assembled InAs Quantum Dot with Strain-compensation Technique
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利用应变补偿技术制备高度堆叠自组装InAs量子点
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kouichi Akahane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
寺田浩士朗;西川宏明;田中陽平;小田川裕之;柳谷隆彦;長康雄;Kouichi Akahane
