Scanning capacitance microscopy of GaN-based high electron mobility transistor structures: A practical guide.
Scanning capacitance microscopy of GaN-based high electron mobility transistor structures: A practical guide.
复制标题
DOI：
10.1016/j.ultramic.2023.113833
复制
发表时间：
2023-08
期刊：
影响因子：
2.2
通讯作者：
Cheng Chen;Saptarsi Ghosh;Francesca Adams;M. Kappers;D. Wallis;R. Oliver
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cheng Chen;Saptarsi Ghosh;Francesca Adams;M. Kappers;D. Wallis;R. Oliver
