Fabrication of few-electron silicon quantum dot devices based on an SOI substrate with a top gate cintact
Fabrication of few-electron silicon quantum dot devices based on an SOI substrate with a top gate cintact
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基于顶栅结构 SOI 衬底的少电子硅量子点器件的制备
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Oda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Horibe;T.Kodera;T.Kambara;K.Uchida;S.Oda
