Shortening o carrier lifetime and its effect on electron spin relaxation time in GaAs/AlGaAs (110) multiple quantum wells
Shortening o carrier lifetime and its effect on electron spin relaxation time in GaAs/AlGaAs (110) multiple quantum wells
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GaAs/AlGaAs(110)多量子阱中载流子寿命缩短及其对电子自旋弛豫时间的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Koh H. Kawaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Ikeda,Y.Nshizaki;N.Yokta;K.Ohnishi;S.Koh H. Kawaguchi
