Rotational grinding of silicon wafers—sub-surface damage inspection
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DOI：
10.1016/j.mseb.2003.12.008
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发表时间：
2004-03
影响因子：
3.6
通讯作者：
A. Haapalinna;S. Nevas;D. Pähler
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Haapalinna;S. Nevas;D. Pähler
