Effects of thermal and electrical stress on defect generation in InAs metal–oxide–semiconductor capacitor
Effects of thermal and electrical stress on defect generation in InAs metal–oxide–semiconductor capacitor
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热应力和电应力对 InAs 金属氧化物半导体电容器缺陷产生的影响
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Cho
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Min;H. Kang;Y. Kang;K. Jeong;Changmin Lee;Hyoungsub Kim;J. Song;M. Cho
