First-Principles Calculation of Tunneling Current of H_2- or NH_3-Adsorbed Si(001) Surface in Scanning Tunneling Microscopy
First-Principles Calculation of Tunneling Current of H_2- or NH_3-Adsorbed Si(001) Surface in Scanning Tunneling Microscopy
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扫描隧道显微镜中吸附H_2或NH_3的Si(001)表面隧道电流的第一性原理计算
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kikuji Hirose
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shinya Horie;Tomoya Ono;Yuji Kuwahara;Katsuyoshi Endo;and Kikuji Hirose
