Channel Current Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOIMOSFETs with Thin BOX
Channel Current Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOIMOSFETs with Thin BOX
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通过薄盒超薄 SOIMOSFET 中的背栅偏置增强沟道电流
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Cristoloveanu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Ohata Y.Bae;C.Fenouillet-Beranger;S.Cristoloveanu
