K.Shinohara: "Electrical properties of Si-doped GaAs layers grown on (411)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy" Semicond.Sci.& Technol.11. 125 (1996)
K.Shinohara: "Electrical properties of Si-doped GaAs layers grown on (411)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy" Semicond.Sci.& Technol.11. 125 (1996)
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K.Shinohara：“通过分子束外延在 (411)A GaAs 衬底上生长的 Si 掺杂 GaAs 层的电特性”Semicond.Sci。
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