SiCステップにおけるC原子グラフェン化過程への理論的アプローチ
SiCステップにおけるC原子グラフェン化過程への理論的アプローチ
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SiC步骤中C原子石墨化过程的理论方法
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
井上 仁人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Iguchi;T. Kawamura;Y. Suzuki;M. Inoue;Y. Kangawa;and K. Kakimoto;井上 仁人;井上 仁人
