Self-Formation of InAs Quantum Dots on SiOx/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition
Self-Formation of InAs Quantum Dots on SiOx/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition
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通过分子束沉积在 SiOx/半导体衬底上自形成 InAs 量子点
DOI：
10.7567/apex.11.085501
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发表时间：
2018
影响因子：
2.3
通讯作者：
S. Kobayashi and K. Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Makaino;K. Sakamoto;T. Sogabe;S. Kobayashi and K. Yamaguchi
