Fast GaN based Schottky diodes on Si(111) substrate with low onset voltage and strong reverse blocking
Fast GaN based Schottky diodes on Si(111) substrate with low onset voltage and strong reverse blocking
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DOI：
10.1002/pssc.201200569
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发表时间：
2013-05
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Eldad Bahat Treidel;O. Hilt;A. Wentzel;J. Würfl;G. Tränkle
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Eldad Bahat Treidel;O. Hilt;A. Wentzel;J. Würfl;G. Tränkle
本文报道了在Si（111）衬底上生长的GaN基异质结横向肖特基势垒二极管（SBD）。这些SBD具有非常低的起始电压（VF = 0.50 V）、高反向阻断VBR（对于LAC > 8 µm）> 600 V、非常低的容性电荷（0.415 nC/A）以及在大信号工作条件下提取的非常快的恢复时间（6 ps）。通过结合横向拓扑、AlGaN背势垒外延结构、全凹进肖特基阳极（B = 0.62 eV）和阳极场板扩展（© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆），可以实现这些独特的品质。
GaN-based heterostructure lateral Schottky barrier diodes (SBD) grown on Si(111) substrate are presented in this work. These SBDs own very low onset-voltage, VF = 0.50 V, high reverse blocking VBR > 600 V for LAC > 8 µm, very low capacitive charge of 0.415 nC/A and a very fast recovery time of 6 ps extracted under large signal operation conditions. These unique qualities are achieved by combining lateral topology, AlGaN back-barrier epitaxial structure, fully recessed Schottky anode (ϕB = 0.62 eV) and anode field plate extension (© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)