H.Ishiwara,T.Hoshino: "Formation of Strain-free GaAs-On-Si Structures by Annealing under Ultrahigh Pressure" Proc.7th Topical Meeting on Crys.Growth Mechanism. 367-370 (1994)
H.Ishiwara,T.Hoshino: "Formation of Strain-free GaAs-On-Si Structures by Annealing under Ultrahigh Pressure" Proc.7th Topical Meeting on Crys.Growth Mechanism. 367-370 (1994)
复制标题
H.Ishiwara、T.Hoshino：“超高压下退火形成无应变 GaAs-On-Si 结构”Proc.7th Crys.Growth Mechanic 专题会议。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
