Photovoltaic properties of five II-VI heterojunctions
Photovoltaic properties of five II-VI heterojunctions
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五个II-VI异质结的光伏特性
DOI：
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发表时间：
1977
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Bube
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Buch;A. Fahrenbruch;R. Bube
五个异质结系统，涉及II-VI族化合物的CdSe，CdTe，ZnSe和ZnTe，已经使用近距离气相传输方法制备。通过这些异质结的电流传输被认为是占主导地位的界面处的重组。使用收集功能，介绍了描述的光生载流子的收集的电压依赖性，扩散电位进行了测定，并从它们的值的电子亲和势的CdSe（4.53 eV）和ZnTe（3.73 eV）相对于CdTe（4.28 eV）。
Five heterojunction systems, involving the II‐VI compounds CdSe, CdTe, ZnSe, and ZnTe, have been prepared using the close‐spaced vapor transport method. Current transport through these heterojunctions was found to be dominated by recombination at the interface. Using a collection function, introduced to describe the voltage dependence of the collection of photogenerated carriers, diffusion potentials were determined, and from them values of the electron affinity of CdSe (4.53 eV) and ZnTe (3.73 eV) relative to CdTe (4.28 eV).