High mobility strained Si0.5Ge0.5/SSOI short channel field effect transistors with TiN/GdScO3 gate stack
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DOI：
10.1016/j.mee.2011.04.030
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发表时间：
2011-09
影响因子：
2.3
通讯作者：
R. Minamisawa;M. Schmidt;E. D. Özben;J. Lopes;J. Hartmann;K. Bourdelle;J. Schubert;Qing-Tai Zhao;D. Buca;S. Mantl
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Minamisawa;M. Schmidt;E. D. Özben;J. Lopes;J. Hartmann;K. Bourdelle;J. Schubert;Qing-Tai Zhao;D. Buca;S. Mantl
