A 128×128b high-speed wide-and match-line content addressable memory in 32nm CMOS
A 128×128b high-speed wide-and match-line content addressable memory in 32nm CMOS
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采用 32nm CMOS 的 128×128b 高速宽匹配行内容可寻址存储器
DOI：
10.1109/esscirc.2011.6044920
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Krishnamurthy
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Agarwal;S. Hsu;S. Mathew;M. Anders;Himanshu Kaul;F. Sheikh;R. Krishnamurthy
128 项 × 128b 内容可寻址存储器 (CAM) 设计可在 1.0V、32nm 高 k 金属栅极 CMOS 技术中实现 145ps 搜索操作。高速 16b 宽动态 AND 匹配线与全静态搜索线和交换的 XOR CAM 单元模拟相结合，显示与优化的高性能传统 NOR 型 CAM 设计相比，在 145ps 的 iso 搜索延迟下搜索能量减少了 49%，从而实现了 1.07fJ/位/搜索操作。缩放所提出的 CAM 的电源电压可实现 0.3fJ/位/搜索，在 0.5V 时搜索延迟为 1.07ns。
A 128-entry × 128b content addressable memory (CAM) design enables 145ps search operation in 1.0V, 32nm high-k metal-gate CMOS technology. A high-speed 16b wide dynamic AND match-line, combined with a fully static search-line and swapped XOR CAM cell simulations show a 49% reduction of search energy at iso-search delay of 145ps over an optimized high-performance conventional NOR-type CAM design, enabling 1.07fJ/bit/search operation. Scaling the supply voltage of the proposed CAM enables 0.3fJ/bit/search with 1.07ns search delay at 0.5V.