Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices
Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices
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激光诱导局部激活镁掺杂氮化镓，具有高横向分辨率，适用于高功率垂直器件
DOI：
10.1063/1.5009970
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
and Yoshinobu Aoyagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Noriko Kurose;Kota Matsumoto;Fumihiko Yamada;Teuku Muhammad Roffi;Itaru Kamiya;Naotaka Iwata;and Yoshinobu Aoyagi
