1分子層InN/GaN量子井戸の構造及び光学特性のGaN障壁層幅依存性
1分子層InN/GaN量子井戸の構造及び光学特性のGaN障壁層幅依存性
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单层InN/GaN量子阱的结构和光学性能对GaN势垒层宽度的依赖性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
乙村浩樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Shima;H.Yoshioka;J.Onoe;乙村浩樹
