Study of Spin Transport and Magnetoresistance Effect in Silicon-based Lateral Spin Devices for Spin-MOSFET Applications
Study of Spin Transport and Magnetoresistance Effect in Silicon-based Lateral Spin Devices for Spin-MOSFET Applications
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用于自旋 MOSFET 应用的硅基横向自旋器件中自旋输运和磁阻效应的研究
DOI：
10.3379/msjmag.2005rv002
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发表时间：
2020
影响因子：
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通讯作者：
K. Hamaya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Ishikawa;Y. Saito;K. Hamaya
