Direct-bandgap light emission and detection at room temperature in bulk-Ge diodes with HfGe/Ge/TiN structure
Direct-bandgap light emission and detection at room temperature in bulk-Ge diodes with HfGe/Ge/TiN structure
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HfGe/Ge/TiN 结构体 Ge 二极管的直接带隙光发射和室温检测
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Dong Wang;Takayuki Maekura;Keisuke Yamamoto;Hiroshi Nakashima
